- p-dopant incorporation
- Электроника: легирование акцепторной примесью
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
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Crystallographic defects in diamond — Synthetic diamonds of various colors grown by the high pressure high temperature technique, the diamond size is 2 mm … Wikipedia
Crosslight Software — Crosslight Software, Inc. Type Private Industry Semiconductor device Founded 1993 Headquarters Burnaby, British Columbia, Canada Key people … Wikipedia
Monolayer doping — (MLD) is a well controlled, wafer scale surface doping technique first developed at the University of California, Berkeley, in 2007.[1] This work is aimed for attaining controlled doping of semiconductor materials with atomic accuracy, especially … Wikipedia
Czochralski process — The Czochralski process The Czochralski process is a method of crystal growth used to obtain single crystals of semiconductors (e.g. silicon, germanium and gallium arsenide), metals (e.g. palladium, platinum, silver, gold), salts, and synthetic … Wikipedia
LUMINESCENCE — On appelle luminescence l’émission de tout rayonnement électromagnétique visible, ultraviolet ou infrarouge, qui n’est pas d’origine purement thermique. Des phénomènes de luminescence sont connus depuis des milliers d’années; on en trouve des… … Encyclopédie Universelle
Polythiophene — The monomer repeat unit of unsubstituted polythiophene … Wikipedia
Polythiophene — Polythiophène Unité de répétition monomère de polythiophène non substitué. Les étoiles indiquent les groupes de terminaison de la chaîne polymère … Wikipédia en Français
Polythiophène — Unité de répétition monomère de polythiophène non substitué. Les étoiles indiquent les groupes de terminaison de la chaîne polymère … Wikipédia en Français
Strontium — Rubidium ← Strontium → Yttrium Ca … Wikipédia en Français